MYS 系列- MYW10 等离子系统
实现高柔性、高产能的Wafer表面处理制程
随着电子装配和半导体市场的快速发展，整个工业对生产效率及可靠度的要求也不断提升。MYS 系列清洁设备通过消除传统真空式等离子体处理的等待时间，带来巨大产能和整体良率提升，同时能确保安全地处理所有敏感性电子元件。
产品特性
MYW10 等离子系统实现高柔性、高产能的Wafer表面处理制程
• 常压式氩气等离子系统
• 100mm宽等离子在线式批量处理，相比传统方式效率提升2-5倍，使用成本降低30%以上
• 100%中性等离子，对敏感电子元器件，不产生等离子轰击、静电、火花、电弧、粉尘、高温、水波纹、紫外线， 不会对产品带来任何伤害，更为安全友好
• 多种化学制程：O2制程去除有机污染物，H2制程去除金属氧化物，活化产品表面
• 不会对Wafer产生颗粒污染和表面粗糙度变化
• 可兼容Wafer和Tape frame的生产以及两者快速切换
• 满足Class10级无尘和SEMI标准
规格参数
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基本参数 |
MYW10 |
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用电需求 |
AC 380V, 13kW, 20A, 50/60Hz |
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气压需求 |
90psi(6bar) |
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外形尺寸 |
2000 x 2800 x 2200mm |
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重量 |
2200kg |
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认证标准 |
SEMI S2/S6/S8 |
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定位精度 |
XY: ± 20 um@3 σ Z: ± 10um@3 σ |
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XYZ轴重复精度 |
XY: ± 10um@3 σ Z: ± 5um@3 σ |
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最大速度 |
1000mm/s(XY) |
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加速度 |
1.0g |
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驱动系统 |
AC servo |
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工作平台参数 |
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上下料形式 |
OHT+Load port+机械手 |
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机械手承重 |
3KG |
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适用Wafer晶圆尺寸 |
12寸 （300mm） |
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软件操作系统 |
Windows 10 |
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X/Y行程 |
400mm/500mm |
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Z轴行程 |
20mm |
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通讯协议 |
SECS/GEM |
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工作范围 |
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等离子处理范围 |
300 x 300mm(W x D) |
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等离子处理后接触角 (WCA) |
WCA<10° (硅晶圆) |
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等离子处理方式 |
O2制程去除有机污染物 H2制程去除金属氧化物 |
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等离子系统设备需求 |
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RF功率 |
600W at 27.12MHz |
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主要等離子气体 |
Argon |
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制程气体 |
O2, N2, or H2 |
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气源压力范围 |
40~100psi (0.3~0.7MPa) |
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